软银与英特尔合作，开发AI存储芯片

Nikkei消息，软银（SoftBank）与英特尔宣布成立合资公司Saimemory。

主要开发适用于AI的堆叠式动态随机存取存储器原型，目标是在两年内将功耗降低50%，同时实现与高带宽内存相当的性能表现。

当前多数AI处理器依赖HBM存储大量临时数据，因其带宽优势显著，但存在制造复杂、成本高、功耗大及发热快等痛点。为解决这些问题，软银与英特尔联合东京大学等机构，依托日本学术机构的专利技术成立Saimemory。

双方将向该公司投资7000万美元，其中软银初期注资约30亿日元并成为最大股东。

Saimemory的核心技术方向是DRAM堆叠技术，通过优化内部布线效率，目标使功耗较HBM降低最多50%。该技术基于英特尔与美国国防部合作开发的成果。与三星、NEO Semiconductor等企业聚焦提升单芯片容量的3D堆叠DRAM路线不同，Saimemory更侧重低功耗和低成本——前者计划利用东京大学的“高速大数据交换技术”进一步压缩成本。

软银布局此举旨在优先获取适配自有数据中心的高效能AI内存芯片。其此前已与OpenAI合作启动“Stargate”项目，计划在美国建设AI数据中心，尽管尚不确定Saimemory的产品是否会应用于该项目，但其对低功耗内存的需求与合资公司目标高度契合。

英特尔则试图通过此次合作重返内存市场。作为全球首个商用DRAM芯片的推出者，英特尔曾在20世纪80年代中期因市场竞争退出该领域，后续虽通过NAND和SSD业务维持参与，但相关业务已分别出售给SK海力士和停止开发。

随着AI驱动的内存需求激增，技术媒体CapacityMedia指出，若Saimemory的HBM替代方案得以普及，英特尔有望打破当前三星、SK海力士、美光三足鼎立的HBM市场格局。

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